鉅大鋰電 | 點擊量:0次 | 2019年12月27日
開關電源不同應用的發展要求
隨著智能手機的普及,4G網絡以及云計算等的不斷擴大,基站、網絡、數據中心等基礎設施相關市場也隨之擴大。在電子產品輕薄短小的需求驅動下,開關電源以小型、輕量和高效率等眾多優點,迅速取代線性電源,并普及于各種電子產品領域。有鑒于此,為滿足不斷攀升的市場需求,東芝加大開關電源研發力度,并提供滿足不同應用的新產品。
經過三十多年的發展,中國的開關電源產業業已形成完善的產業鏈。面對眾多競爭對手,東芝電子(中國)有限公司技術統括部總監多田升先生指出,東芝擁有豐富封裝的高壓MOS管(HV-MOS)和低壓MOS(LV-MOS)產品線,能滿足從消費類電子到工業相關設備的不同需求。
東芝注重開發AC-DC用HV-MOS和DC-DC用LV-MOS產品。隨著今后功率器件需求的不斷擴大,東芝面向通信、數據中心的產品也將持續開發出來。針對HV-MOS(SuperJunctionMOS)方面,東芝將對DTMOSIV進行產品化,并對以更低損耗且高耐壓(900V)為目標的HV-DTMOS進行開發。LV-MOS方面,東芝開發UMOSVIII,不斷充實產品線,甚至擴充到工業方面對耐壓有需求的250V產品。
事實上,開關電源用器件的高效率化,有助于實現設備的小型化和節能。為滿足以上需求,多田升先生透露,東芝將開發低損耗器件和符合JEDEC標準的高可靠性產品。
為更好地實現設備的小型化,東芝正在對IPD(IntelligentPowerDevice)的DIP封裝產品化,甚至還在開發更小型的HSOP。與此同時,東芝正在著手開發分立器件的雙面放熱型新型封裝,以實現小型且高放熱。為實現低損耗,東芝還開發出業界頂級的低導通電阻技術。
在節能環保的發展趨勢下,可再生能源等新能源領域要求具備高效輸電技術。面對能源消耗的問題,在功率器件方面,東芝開發出有助于提升HVDC(高壓直流輸電)技術及各種電源效率的產品,擁有30V到4500V的豐富產品線。
談到功率器件新工藝新突破時,多田升先生強調,相較于其他公司的多外延(MultitypeEpitaxial)構造,東芝實現了采用自行研發的單外延(SingleEpitaxial)構造。通過該技術,使得半導體器件在高溫工作時也能實現導通電阻的降低。除此之外,LV-MOS通過新的溝槽構造,能改善低導通電阻以及開關性能的權衡,在確保開關速度的同時,實現低導通電阻。最后,多田升先生特別指出,除了積極研發新工藝之外,在新材料升級方面,東芝已經著手進行SiC、GaN等新材料器件的開發。截至目前為止,SiC二極管已經上市,GaN的開發也在不斷進行中。
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