中國上海，2019年12月25日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出兩款面向車載48V電氣系統應用的新型100VN溝道功率MOSFET。該系列包括具備低導通電阻的“XpH4R10ANB”-其漏極電流為70A，以及“XpH6R30ANB”-其漏極電流為45A。批量生產和出貨計劃于今天開始。

MOSFET產品圖

新產品是東芝首款［1］采用緊湊型SOpAdvance（WF）封裝的車用100VN溝道功率MOSFET。封裝采用可焊錫側翼端子結構，安裝在電路板上時能夠進行自動目視檢查，從而有助于提高可靠性。新型MOSFET的低導通電阻有利于降低設備功耗；XpH4R10ANB擁有業界領先的［2］低導通電阻。

?汽車設備

電源裝置（DC-DC轉換器）和LED頭燈等（電機驅動、開關穩壓器和負載開關）

?東芝的首款［1］100V車用產品使用小型表面貼裝SOpAdvance（WF）封裝

?通過AEC-Q101認證

?低導通電阻：

RDS（ON）=4.1m?（最大值）@VGS=10V（XpH4R10ANB）

RDS（ON）=6.3m?（最大值）@VGS=10V（XpH6R30ANB）

?采用可焊錫側翼端子結構的SOpAdvance（WF）封裝

注釋：

［1］截至2019年12月25日

［2］在同樣規格的產品中，截至2019年12月25日。東芝調查。