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“深層”缺陷竟然可以提升硅電池效率

鉅大鋰電  |  點擊量:0  |  2020年04月08日  

根據美國政府國家可再生能源實驗室(NREL)科學家的研究發現,硅太陽能電池假如存在一定的缺陷似乎可以提高電池性能。


此項研究結果公布在《應用物理快報》(AppliedPhysicsLetters),也是美國能源部SunShot計劃資助的研究項目的一部分。NREL首席研究員PaulStradins表示,此項研究結果看似與傳統觀點相背離。


傳統觀點通常認為,硅太陽能電池中所謂的深層缺陷通常被認為是不好的,因為它們會重組電荷載流子(電荷載體),從而降低電池效率。


但是NREL研究發現,刻意設計的性能缺陷實際上可以增強電池的載流子收集,善吸收層的表面鈍化。


NREL團隊在實驗室的超級計算機上進行了很多模擬實驗,在硅晶片相鄰的氧化層添加雜質。具體來講,他們在薄的隧道二氧化硅層引入雜質;還在硅晶片相鄰的氧化鋁表面鈍化層添加雜質。


這兩種情況下添加雜質,被認為是有益的,通過提升電池多數載流子的傳輸速度,排斥少數載流子,能提高整體效率。


NREL模擬實驗從硅晶片相鄰的氧化層除去某些原子,用一個不同元素的原子來替換,從而創造出虛擬的"缺陷。例如,當氧原子被氟原子替換,這樣就會出現一個缺陷,進而可以促進電子收集。


示意圖:缺陷點(紅十字部分),有助于從光吸收體收集電子,堵住漏洞,進而抑制載流子復合。


NREL研究表示,確定出正確的“缺陷”才是過程的關鍵,通過進一步研究將會確定哪一處缺陷將會出現最好的結果。(文/Tina譯)


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