電磁干擾EMI是令眾多電源設(shè)計(jì)者頭疼的問(wèn)題，很多新手在邁過(guò)設(shè)計(jì)方面的難題之后通常都會(huì)在EMI上碰壁。設(shè)計(jì)本身存在缺陷可能導(dǎo)致電磁干擾過(guò)大，但電源器件選擇不當(dāng)同樣會(huì)造成EMI飆升。本文就將為大家講解電源作為輻射源是如何出現(xiàn)EMI的。

圖112V輸入降壓型開關(guān)穩(wěn)壓器中的典型開關(guān)節(jié)點(diǎn)電壓尖峰和振鈴

在每個(gè)開關(guān)周期里，存儲(chǔ)在寄生電感器中的能量將和存儲(chǔ)于寄生電容器中的能量發(fā)生共振。當(dāng)能量釋放時(shí)將在開關(guān)節(jié)點(diǎn)(VSW)上出現(xiàn)一個(gè)很大的電壓尖峰，其最大可達(dá)輸入電壓的兩倍，如圖1所示。當(dāng)MOSFET的電流能力新增時(shí)，存儲(chǔ)在寄生電容器中的能量往往也會(huì)新增。另外，開關(guān)動(dòng)作還使輸入電流以及流過(guò)頂端MOSFET(ITOp)和底端MOSFET(IBOT)的電流出現(xiàn)脈動(dòng)。此脈沖電流將在輸入電源電纜和pCB板印制線(其充當(dāng)了發(fā)射天線)上出現(xiàn)電波，從而出現(xiàn)輻射發(fā)射和傳導(dǎo)發(fā)射。

圖2在96W輸出功率下LTM4613(DC1743)的EN55022標(biāo)準(zhǔn)相符性演示

當(dāng)輸人電壓和輸出電流新增時(shí)，每個(gè)周期中功率電感器改變極性時(shí)開關(guān)節(jié)點(diǎn)上的電壓尖峰也將增大。而且，輸出電流越高，電路回路內(nèi)部出現(xiàn)的脈沖電流越大。因此，輻射發(fā)射在很大程度上取決于被測(cè)試器件所處的電氣操作條件。一般來(lái)說(shuō)，輻射噪聲將隨著輸人電壓和輸出功率(特別是輸出電流)的提高而新增。由于作為低噪聲替代方法的線性穩(wěn)壓器效率過(guò)低，而且在高電壓和高功率級(jí)別下耗散過(guò)多的熱量，因此設(shè)計(jì)工程師不得不克服因采用最先進(jìn)的開關(guān)電源解決方法而引發(fā)的難題，其中的EMI抑制變得頗為棘手。

由此可見(jiàn)，從輻射源的角度來(lái)說(shuō)EMI存在每個(gè)開關(guān)周期當(dāng)中。想要完全對(duì)其進(jìn)行抑制還是比較棘手的問(wèn)題，所以對(duì)EMI進(jìn)行抑制的話題不能單單從一個(gè)方面來(lái)入手，而是要多方面的配合。希望大家在閱讀過(guò)本文之后能夠有所收獲。