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研究證據(jù)提示純石墨烯不適合當(dāng)硅材料接班人

鉅大鋰電  |  點(diǎn)擊量:0  |  2018年07月01日  

讓石墨烯(graphene)成為半導(dǎo)體矽材料的接班人,已經(jīng)成為美國、日本、歐洲甚至是中國等地政府大力支持的優(yōu)先研究項目;但因為石墨烯缺乏能隙(bandgap)的自然特性,美國麻省理工學(xué)院(MIT)與哈佛大學(xué)(HarvardUniversity)的研究人員認(rèn)為大家可能都搞錯了方向,應(yīng)該是找尋性能媲美石墨烯、但具備能隙的化合物材料。

研究人員指出,有一類以NiHITP(nickelhexa-imino-triphenylene)為代表的材料,就擁有上述特性。MIT化學(xué)教授MirceaDinca表示:「就像石墨可剝離為石墨烯(也不過就是片狀的石墨),我們所開發(fā)的材料也能剝離成片狀;相較于石墨烯層,我們的材料層是能透過受控制的化學(xué)改質(zhì)(chemicalmodification)來調(diào)節(jié),因此能有系統(tǒng)地改變其電子特性。」

該種新開發(fā)材料的正式名稱是「Ni3(HITP)2」,因為它鍵合了鎳(Ni)的3個原子以及2個HITP有機(jī)分子;不過NiHITP只是一個具備天然能隙之材料類別中的第一種,能針對特定應(yīng)用在原子等級調(diào)節(jié)其電子功能。

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