硅光電池結構

硅光電池結構如圖２．４—１所示。利用硅片制成ＰＮ結，在Ｐ型層上貼一柵形電極，Ｎ型層上鍍背電極作為負極。電池表面有一層增透膜，以減少光的反射。由于多數(shù)載流子的擴散，在Ｎ型與Ｐ型層間形成阻擋層，有一由Ｎ型層指向Ｐ型層的電場阻止多數(shù)載流子的擴散，但是這個電場卻能幫助少數(shù)載流子通過。當有光照射時，半導體內(nèi)產(chǎn)生正負電子對，這樣Ｐ型層中的電子擴散到ＰＮ結附近被電場拉向Ｎ型層，Ｎ型層中的空穴擴散到ＰＮ結附近被阻擋層拉向Ｐ區(qū)，因此正負電極間產(chǎn)生電流；如停止光照，則少數(shù)載流子沒有來源，電流就會停止。硅光電池的光譜靈敏度最大值在可見光紅光附近（８００ｎｍ），截止波長為１１００ｎｍ。圖２．４—２表示硅光電池靈敏度的相對值。