IGBT，中文名字為絕緣柵雙極型晶體管，它是由MOSFET（輸入級）和PNP晶體管（輸出級）復(fù)合而成的一種器件，既有MOSFET器件驅(qū)動功率小和開關(guān)速度快的特點（控制和響應(yīng)），又有雙極型器件飽和壓降低而容量大的特點（功率級較為耐用），頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz頻率范圍內(nèi)。

理想等效電路與實際等效電路如圖所示：

IGBT的靜態(tài)特性一般用不到，暫時不用考慮，重點考慮動態(tài)特性（開關(guān)特性）。

動態(tài)特性的簡易過程可從下面的表格和圖形中獲取：

IGBT的開通過程

IGBT在開通過程中，分為幾段時間

1.與MOSFET類似的開通過程，也是分為三段的充電時間

2.只是在漏源DS電壓下降過程后期，PNP晶體管由放大區(qū)至飽和過程中增加了一段延遲時間。

在上面的表格中，定義了了：開通時間Ton，上升時間Tr和Tr.i

除了這兩個時間以外，還有一個時間為開通延遲時間td.on:td.on=Ton-Tr.i

IGBT在關(guān)斷過程

IGBT在關(guān)斷過程中，漏極電流的波形變?yōu)閮啥巍?/p>

功率器件在綠色節(jié)能設(shè)計中的應(yīng)用【IGBT、MOSFET】

功率器件是功率電子技術(shù)的核心器件，特別是IGBT模塊和MOSFET器件被廣泛應(yīng)用于工業(yè)設(shè)備、汽車電子、家電等領(lǐng)域，為這些領(lǐng)域的節(jié)能提供了幫助。在世界都需要節(jié)能的情況下，功率器件的重要性將日益提高，發(fā)展前景將更加光明。本專題為你呈現(xiàn)功率器件的最新資訊及其主要應(yīng)用領(lǐng)域中的節(jié)能設(shè)計方案。

關(guān)于IGBT保護電路設(shè)計必知問題

摘要：全面論述了IGBT的過流保護、過壓保護與過熱保護的有關(guān)問題，并從實際應(yīng)用中總結(jié)出各種保護方法，這些方法實用性強，保護效果好。

IGBT（絕緣柵雙極性晶體管）是一種用MOS來控制晶體管的新型電力電子器件，具有電壓高、電流大、頻率高、導(dǎo)通電阻小等特點，因而廣泛應(yīng)用在變頻器的逆變電路中。但由于IGBT的耐過流能力與耐過壓能力較差，一旦出現(xiàn)意外就會使它損壞。為此，必須但對IGBT進行相關(guān)保護本文從實際應(yīng)用出發(fā)，總結(jié)出了過流、過壓與過熱保護的相關(guān)問題和各種保護方法，實用性強，應(yīng)用效果好。